IRF520N Power MOSFET

ترانزیستور MOSFET مدل IRF520N یک قطعه پرکاربرد و قدرتمند برای انواع پروژه‌های الکترونیکی است. این ترانزیستور از نوع N-Channel بوده و با ویژگی‌های برجسته‌ای مانند ولتاژ کاری تا 100 ولت و جریان مداوم 9.2 آمپر، گزینه‌ای ایده‌آل برای تقویت، سوئیچینگ و کنترل مدارهای موتوری است. طراحی مقاوم این ترانزیستور باعث شده که در پروژه‌های صنعتی و خانگی عملکردی قابل اعتماد داشته باشد.

IRF520N با مقاومت روشنایی (On-Resistance) پایین برابر با 0.27 اهم، انتقال توان را بهینه کرده و افت ولتاژ را به حداقل می‌رساند. این ویژگی‌ها در کنار سرعت سوئیچینگ بالا و پایداری حرارتی عالی، موجب می‌شود این MOSFET انتخابی مناسب برای استفاده در مدارهای صوتی، درایور موتور، و مدیریت توان باشد. بسته‌بندی TO-220 این قطعه امکان نصب آسان و یکپارچه‌سازی در پروژه‌های مختلف را فراهم می‌کند.

مشخصات فنی IRF520N Power MOSFET

• نوع ترانزیستور: N-Channel
• حداکثر ولتاژ کاری: 100 ولت
• جریان مداوم تخلیه: 9.2 آمپر
• حداکثر توان تلف‌شده: 48 وات
• مقاومت روشنایی (On-Resistance): 0.27 اهم
• ولتاژ آستانه دروازه-منبع (VGS): 2 تا 4 ولت
• حداکثر ولتاژ دروازه-منبع (VGS): ±20 ولت
• ولتاژ شکست تخلیه-منبع (BVDSS): 100 ولت
• ظرفیت ورودی (Ciss): 1400pF
• ظرفیت خروجی (Coss): 300pF
• زمان سوئیچینگ (Turn-On Delay + Rise Time): 35 نانوثانیه
• زمان سوئیچینگ (Turn-Off Delay + Fall Time): 150 نانوثانیه
• بازه دمای کاری: 55- تا 175+ درجه سانتی‌گراد
• نوع نصب: سوراخ‌دار (Through-hole)

نکات کاربردی:

1. این قطعه به دلیل توان تحملی بالا و مشخصات الکتریکی قابل توجه، در تقویت‌کننده‌های صوتی، درایورهای موتور، و منابع تغذیه سوییچینگ بسیار مناسب است.
2. به دلیل ولتاژ بالای آستانه و توان مصرفی پایین، برای مدارهای حساس نیز قابل استفاده است.
3. طراحی TO-220 امکان دفع حرارت مناسب را فراهم می‌کند.

Introducing the IRF520 - a high-performance MOSFET transistor designed for various electronic applications. With its robust construction and exceptional electrical characteristics, the IRF520 is a reliable choice for amplification, switching, and motor control circuits. This N-Channel MOSFET transistor operates at a voltage range of 100V and offers a continuous drain current of 9.2A, making it suitable for a wide range of power applications.

The IRF520 transistor features a low on-resistance of only 0.27 ohms, ensuring efficient power transfer and minimal voltage drop during operation. Its fast switching speed and excellent thermal stability contribute to its overall performance and reliability. With a TO-220 package, it is easy to mount and integrate into various electronic projects. Whether you're a hobbyist, student, or professional, the IRF520 is a versatile component that can handle high-power requirements with ease.

Upgrade your electronic projects with the IRF520 MOSFET transistor and experience enhanced performance and control. From audio amplifiers to motor drivers, this transistor offers efficient power management and reliable switching capabilities. Unlock the potential of your circuits with the IRF520 and enjoy the benefits of its high voltage tolerance, low on-resistance, and impressive current-handling capabilities. Take your electronic designs to the next level with the versatile and dependable IRF520 transistor.

Specification of IRF520N Power MOSFET:

• Transistor Type: N-Channel
• Maximum Voltage Rating: 100V
• Continuous Drain Current: 9.2A
• Maximum Power Dissipation: 48W
• On-Resistance: 0.27 ohms
• Gate-Source Voltage (VGS) Threshold: 2V - 4V
• Gate-Source Voltage (VGS) Maximum: ±20V
• Drain-Source Breakdown Voltage (BVDSS): 100V
• Input Capacitance (Ciss): 1400pF
• Output Capacitance (Coss): 300pF
• Switching Time (Turn-On Delay Time + Rise Time): 35ns
• Switching Time (Turn-Off Delay Time + Fall Time): 150ns
• Operating Temperature Range: -55°C to 175°C
• Mounting Style: Through-hole